Media type: Book; Thesis Title: Untersuchung des elektronischen Transports an 28nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten Contributor: Beister, Jürgen [VerfasserIn] Corporation: Technische Universität Dresden imprint: [2018?] Published in: Research at namlab Extent: xi, 171 Seiten; Illustrationen, Diagramme Language: German; English RVK notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Keywords: Hochschulschrift Origination: University thesis: Dissertation, Technische Universität Dresden, 2018 Footnote: Text auf Deutsch, Kurzzusammenfassung auf Englisch
Departmental Library DrePunct – open access area Shelf-mark: ZN 4870 B423 Item ID: 33414824 Status: Loanable
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