Media type: Book; Thesis Title: Modellierung des Hochfrequenzverhaltens von MOS-Transistoren Contributor: Knoblinger, Gerhard [Author] imprint: 2001 Extent: VII, 131 S; graph. Darst; 21 cm Language: German RVK notation: ZN 2740 : Fachbezogene Forschung ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 4850 : Transistoren allgemein; Bipolartransistoren Keywords: CMOS-Schaltung > Hochfrequenzschaltung > Kurzkanal-FET > Thermisches Rauschen > Kleinsignalverhalten > Simulation CMOS-Schaltung > Hochfrequenzschaltung > Kurzkanal-FET > Thermisches Rauschen > Kleinsignalverhalten > Simulation Origination: University thesis: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2001 Footnote:
Departmental Library DrePunct – stack Shelf-mark: 2002 8 035514 Item ID: 30908587 Status: Loanable, place order > Ordering possible ‒ please log in Delivery expected: 1 - 2 days after order