University thesis:
Freiburg i. Br., Univ., Diss., 2015
Footnote:
Description:
Zusammenfassung: In der Kristallzüchtung ist bei einer Vielzahl von Züchtungsverfahren aus der Schmelze eine freie Schmelzoberfläche vorhanden, darunter das Czochralski- und Floatzone-Verfahren. Wärme- und Stofftransport werden in solchen Systemen, zusätzlich zur natürlichen Auftriebskonvektion, von Oberflächenspannungseffekten beeinflusst. Im Fall von Germanium und Silizium ist die Oberflächenspannung von Silizium um etwa 30% höher als bei Germanium, die Dichte wiederum ist nur etwa halb so groß. Zusammen mit der sehr starken Segregation in diesem System, bei der Silizium bevorzugt in den Kristall eingebaut wird, kann dies aufgrund der Zurückweisung von Germanium vor der Phasengrenze zu starker solutokapillarer Konvektion, sowie solutaler Auftriebskonvektion führen. Bisher konnte solutokapillare Konvektion in GeSi nur indirekt nachgewiesen werden