Media type: Book Title: Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications Contributor: Park, Byung-Eun [HerausgeberIn]; Ishiwara, Hiroshi [HerausgeberIn]; Okuyama, Masanori [HerausgeberIn]; Sakai, Shigeki [HerausgeberIn]; Yoon, Sung-Min [HerausgeberIn] imprint: Dordrecht: Springer, [2016] Published in: Topics in applied physics ; 131 Extent: xviii, 347 Seiten; Illustrationen, Diagramme Language: English DOI: 10.1007/978-94-024-0841-6 ISBN: 9789402408393 Identifier: RVK notation: ZN 5640 : Speicherschaltungen UD 9450 : Topics in applied physics Keywords: Ferroelektrischer Transistor Origination: Footnote: Literaturangaben
Departmental Library DrePunct – open access area Shelf-mark: ZN 5640 P235 Item ID: 33721346 Status: Loanable