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Media type:
E-Book;
Electronic Thesis
Title:
Integration von germaniumbasierenden pin-Strukturen in Silizium-Dünnschicht-Solarzellen : Modellierung und experimentelle Solarzellenentwicklung
Contributor:
Feser, Clemens Uwe
[Author]
imprint:
Carl von Ossietzky Universität Oldenburg: /oops/ - Oldenburger Online-Publikations-Server, 2012
Footnote:
Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
Description:
Die Arbeit befasst sich mit der Entwicklung eines neuartigen Konzepts für Silizium-Dünnschicht-Solarzellen. Aktuell gefertigte multispektrale Silizium-Dünnschicht-Module erreichen Effizienzen von 12.5%. Elektrooptische Simulationen zeigen, dass diese Wirkungsgrade durch den Einsatz so genannter Triple-Junction Konzepte weiter gesteigert werden können. Ausgehend von einer Materialstudie so wie der simulativen Betrachtung des Zusammenspiels der Einzelsolarzellen wurde daraufhin ein neuartiges Konzept für Dünnschicht-Solarzellen erarbeitet. Das neue Konzept beruht hierbei im Wesentlichen auf der Verwendung amorpher bzw. mikrokristalliner Germanium-Dünnschicht-Solarzellen, deren Herstellung und Optimier ausführlich behandelt werden. Dazu wurden die optischen und elektrischen Schicht- und Solarzelleigenschaften untersucht und in Beziehung zu den Ergebnissen aktueller Arbeiten gesetzt. Im Ergebnis gelang es so das Potential des neuartigen Solarzellenkonzepts ausgiebig darzulegen.