Media type: E-Book Title: Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors for High Power Applications Contributor: Calzolaro, Anthony [Verfasser]; Mikolajick, Thomas [Gutachter]; Dadgar, Armin [Gutachter] imprint: Dresden: Technische Universität Dresden, 2022 Extent: Online-Ressource Language: English Identifier: RVK notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 4100 : Allgemeines Keywords: Aluminiumnitrid ; Galliumnitrid ; HEMT ; Heterostruktur-Bauelement ; Silicium ; Großsignalverhalten ; Leistungsverstärker ; GaN ; high electron mobility transistors ; gate dielectric ; traps ; ohmic contacts ; gold-free Origination: University thesis: Dissertation, Dresden, Technische Universität Dresden, 2022 Footnote: Access State: Open Access