Media type: E-Book Title: Polaritäts- und ortskontrollierte Nitrid-Epitaxie von Nanodrähten zur technologischen Herstellung von Lichtemittern auf Si-Substraten Other titles: Polarity- and site-controlled nitride epitaxy of nanowires for the technological manufacturing of light emitters on Si substrates Contributor: Blumberg, Christian [Verfasser]; Tegude, Franz-Josef [Akademischer Betreuer] imprint: Duisburg; Essen: Universität Duisburg-Essen, 2023 Extent: Online-Ressource Language: Multiple DOI: 10.17185/duepublico/77175 Identifier: Keywords: Lumineszenzdiode ; MOCVD-Verfahren ; Galliumnitrid ; Nitride ; Heterostruktur ; Indiumnitrid ; Kristallstruktur ; epitaxy ; nanowire ; LED ; light-emitter ; nanowire-LED ; polarity ; MOVPE ; MOCVD ; SAE ; III/V ; gallium nitride ; nitride ; growth ; silicon ; nanotechnology ; technology ; VLC ; [...] Origination: University thesis: Dissertation, Duisburg, Essen, Universität Duisburg-Essen, 2022 Footnote: Access State: Restricted Access | Information to licenced electronic resources of the SLUB