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AbstractEs werden Methoden diskutiert, die gestatten, die Auflösung der röntgentopographischen Abbildung zu erhöhen und kurzfristig Aussagen über die Defektstruktur und die Charakteristik von Halbleitern zu machen. Besprochen wird eine 1970 vom Verfasser entwickelte einkristallspektrometrische Methode und anschließend die Leistungsfähgkeit der Mehrkristallspektrometer.