Description:
<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Eine räumlich‐periodische <jats:bold>n</jats:bold>‐ und <jats:bold>p</jats:bold>‐Dotierung, möglicherweise mit intrisischen Zwischenschichten („n‐i‐p‐i”︁‐Struktur), mit Periodenlängen im Bereich von etwa 20 bis 500 nm modifiziert die elektronischen Eigenschaften eines Halbleiters drastisch. Die Leitfähigkeit kann durch Licht oder durch Ladungsträgerinjektion in weiten Grenzen variiert werden. Ebenso läßt sich die Photonenenergie bei der Lichtemission über einen weiten Teil der Bandlücke des Wirtskristalls verschieben. Die optische Absorption ist ebenfalls variabel und kann bereits bei schwacher Anregungsintensität das Vorzeichen ändern. Darüber hinaus bilden solche Halbleiter eine ideale Modellsubstanz zur Untersuchung zweidimensionaler elektronischer Systeme.</jats:p>