Description:
<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Es wird durch Messung der optischen Absorption und der Ionenleitfähigkeit nachgewiesen, daß V<jats:sup>2+</jats:sup> im AgCl auf Kationenplatz unter Bildung einer zusätzlichen Silberlücke eingebaut wird. Durch Anlagerung von Defektelektronen (Anlaufreaktion mit Chlor) können diese V<jats:sup>2+</jats:sup>‐Ionen in V<jats:sup>3+</jats:sup>‐Ionen umgeladen werden. Die Umwandlung in dreiwertiges Vanadium wird wieder durch Messung der optischen Absorption nachgewiesen. Durch Messung der Ionenleitfähigkeit wird gezeigt, daß das V<jats:sup>3+</jats:sup> auf Kationenplatz unter Bildung von zwei zusätzlichen Silberlücken pro V<jats:sup>3+</jats:sup>‐Ion substituiert bleibt. Durch Elektronenanlagerung (Kontakt mit Ag‐Metall) ist die Rückumladung des V<jats:sup>3+</jats:sup> in V<jats:sup>2+</jats:sup> möglich. Der Einfluß der Wechselwirkung der Silberlücken mit den dreiwertigen Kationen auf die Ionenleitfähigkeit wird berechnet und diskutiert.</jats:p>