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Medientyp: Mikrofiche; Hochschulschrift Titel: 2D-Computersimulation von A1GaAs/InGaAs Hetrostruktur-Feldeffekttransistoren Beteiligte: Kleindienst, Thorsten [VerfasserIn] Erschienen: 2000 Mikrofiche-Ausg. Umfang: 134 S.; Ill., graph. Darst Sprache: Deutsch RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: Indiumarsenid > Aluminiumarsenid > Galliumarsenid > Heterostruktur-Bauelement > HEMT > Computersimulation Art der Reproduktion: Mikrofiche-Ausg. Entstehung: Hochschulschrift: Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2000 Anmerkungen:
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2004 8 001755 Barcode: 31135922 Notizen: 2 Mikrofiches Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, Versand per Fernleihe möglich > Bestellen möglich - bitte anmelden