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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Modellierung und Simulation des statischen Verhaltens von SOI-Feldeffekttransistoren Beteiligte: Scheinert, Susanne [VerfasserIn] Erschienen: 1992 Umfang: 137 S; graph. Darst; 21 cm Sprache: Deutsch RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: SOI-Technik > Feldeffekttransistor Entstehung: Hochschulschrift: Ilmenau, Techn. Hochsch., Diss. : 1992 Anmerkungen:
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2001 8 003991 001 Barcode: 10088628 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden Bereitstellung voraussichtlich: 1 - 2 Tage nach Bestellung