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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Ab initio Berechnung elektrischer Eigenschaften von Dielektrika für neuartige Gate-Isolator-Schichtsyteme zukünftiger MOSFETs Beteiligte: Plänitz, Philipp [VerfasserIn] Körperschaft: Technische Universität Chemnitz ; GWT-TUD GmbH Erschienen: [Auerbach/Vogtland]: Verlag Wissenschaftliche Scripten, 2010 Erschienen in: Forschung für die Praxis ; 1 Umfang: 103 Seiten; Illustrationen, Diagramme; 21 cm Sprache: Deutsch ISBN: 9783937524979 RVK-Notation: ZN 3490 : Dielektrika ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: High-k-Dielektrikum > Elektronische Eigenschaft > Ab-initio-Rechnung MOS-FET > Siliciumoxide > Dichtefunktionalformalismus > Amorpher Halbleiter > Gate > Isolatorbauteil > Mehrschichtsystem Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Chemnitz, 2009 Anmerkungen: Förderkennzeichen BMBF 01M3156 Weitere Bestandsnachweise 0 : Forschung für die Praxis
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2013 8 028379 Barcode: 33128236 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden Bereitstellung voraussichtlich: 1 - 2 Tage nach Bestellung