Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte

Medientyp: Buch
Titel: Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
Beteiligte: Vogt, Holger [VerfasserIn]
Erschienen: Düsseldorf: VDI-Verlag, 1986
Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 64
Umfang: 152 S.; 79 Ill. u. graph. Darst; 21 cm
Sprache: Deutsch
ISBN: 3181464090
Schlagwörter: Silicium > Einkristall > Ionenimplantation > Stickstoff
CMOS > SOI-Technik
Silicium > Einkristall > Ionenimplantation > Stickstoff
CMOS > SOI-Technik
Entstehung:
Hochschulschrift: Zugl.: @Dortmund, Univ., Diss., 1986
Anmerkungen: Als Ms. gedr. - Literaturverz. S. 138 - 151
Weitere Bestandsnachweise
0 : Fortschrittberichte VDI / 9

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