Schneider, Joachim
[VerfasserIn];
Jin, Jiehong
[VerfasserIn];
Endermann, Markus
[VerfasserIn];
Deppert, Oliver
[VerfasserIn];
Dünnbier, Mario
[VerfasserIn];
Reichmann, Markus
[VerfasserIn]
;
Spitzner, Christian
[MitwirkendeR]MUEGGE GmbH
Vorhabensbezeichnung: Innovative Fehleranalytik für hoch integrierte Elektroniksysteme - SAM³, Teilvorhaben: Plasmasystem zum Trockenätzen von neuartigen SiC/GaN Halbleiterbauelementen
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Medientyp:
E-Book
Titel:
Vorhabensbezeichnung: Innovative Fehleranalytik für hoch integrierte Elektroniksysteme - SAM³, Teilvorhaben: Plasmasystem zum Trockenätzen von neuartigen SiC/GaN Halbleiterbauelementen
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Schlussbericht nach Nr. 8.2. NKBF 98 : Laufzeit des Vorhabens: 01.10.2015-30.09.2018, kostenneutrale Verlängerung bis 31.12.2018 : Berichtszeitraum: 01.10.2015-31.12.2018
Paralleltitel:
Smart Analysis Methods for 3D Integration in Advanced Microsystems and Corresponding Materials, Acronym: SAM³ : subproject: Plasma Etch Equipment for Die Preparation of New Semiconductor Substrate Materials
Anmerkungen:
Förderkennzeichen BMBF 16ES0341
Autoren dem Berichtsblatt entnommen. - Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Sprache der Zusammenfassung: Deutsch, Englisch