MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten

Medientyp: Buch; Hochschulschrift
Titel: MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten
Weitere Titel: Nebent.: III/V-Halbleiter auf Si
Beteiligte: Tang, Guang-ping [Verfasser:in]
Erschienen: Düsseldorf: VDI-Verl., 1994
Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 5 ; 36000
Ausgabe: Als Ms. gedr.
Umfang: VI, 101 S; Ill., graph. Darst
Sprache: Deutsch
ISBN: 3183360055
Schlagwörter: Silicium > Halbleitersubstrat > Indiumphosphid > Dünne Schicht > MOCVD-Verfahren
Silicium > Halbleitersubstrat > Galliumarsenid > Dünne Schicht > MOCVD-Verfahren
Entstehung:
Hochschulschrift: Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1994
Anmerkungen: Literaturverz. S. 90 - 101
Weitere Bestandsnachweise
0 : Fortschrittberichte VDI / 5

MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten - [Als Ms. gedr.]