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Moench, Stefan [Verfasser:in]; Reiner, Richard [Verfasser:in]; Czap, Heiko [Verfasser:in]; Müller, Stefan [Verfasser:in]; Rüster, Joachim [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Meder, Dirk [Verfasser:in] ; Waltereit, Patrick [Mitwirkende:r] Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid - GaNIAL; Einzelvorhaben: Monolitisch integrierte, schnell schaltende Galliumnitrid Leistungsbauelemente

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  • Medientyp: E-Book
  • Titel: Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid - GaNIAL; Einzelvorhaben: Monolitisch integrierte, schnell schaltende Galliumnitrid Leistungsbauelemente : öffentlicher Abschlussbericht : Laufzeit: 01.10.2016-31.12.2019
  • Paralleltitel: Monolithically, integrated, fast-switching gallium nitride power devices
  • Beteiligte: Moench, Stefan [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Mitwirkende:r]; Reiner, Richard [Verfasser:in]; Czap, Heiko [Verfasser:in]; Müller, Stefan [Verfasser:in]; Rüster, Joachim [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Meder, Dirk [Verfasser:in]
  • Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
  • Erschienen: [Freiburg]: [Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)], 30. Juni 2020
  • Umfang: 1 Online-Ressource (18 Seiten, 688,46 KB); Diagramme, Illustrationen
  • Sprache: Deutsch
  • DOI: 10.2314/KXP:1725176084
  • Identifikator:
  • Schlagwörter: Forschungsbericht
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Förderkennzeichen BMBF 16EMO0215K [richtig] - 16EMO215K [falsch]
    Verbundnummer 01174115
    Weitere Autoren dem Berichtsblatt entnommen
    Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
    Sprache der Zusammenfassung: Deutsch, Englisch
  • Zugangsstatus: Freier Zugang