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Physica status solidi
- [Reprint 2021]
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- Medientyp: E-Book
- Titel: Physica status solidi : Volume 17, Number 1: May 16
- Beteiligte: Görlich [Herausgeber:in]; Abdalla, M. I [Mitwirkende:r]; Agarwala, R. P [Mitwirkende:r]; Aihara, J [Mitwirkende:r]; Aleksandrov, L. N [Mitwirkende:r]; Alexander, H [Mitwirkende:r]; Anand, M. S [Mitwirkende:r]; Antonov, V. A [Mitwirkende:r]; Arsenev, P. A [Mitwirkende:r]; Augustus, P. D [Mitwirkende:r]; Bagdasarov, Kh. S [Mitwirkende:r]; Ball, C. A. B [Mitwirkende:r]; Baranov, B. A [Mitwirkende:r]; Bartels, G [Mitwirkende:r]; Bassim, M. N [Mitwirkende:r]; Bevza, Yu. G [Mitwirkende:r]; Bieber, R. L [Mitwirkende:r]; Birkhan, F [Mitwirkende:r]; Bleicher, M [Mitwirkende:r]; Blythe, H. J [Mitwirkende:r]; Bostanjoglo, O [Mitwirkende:r]; Bozhkov, V. G [Mitwirkende:r]; Buisson, G [Mitwirkende:r]; Bärner, K [Mitwirkende:r]; Cech, J [Mitwirkende:r]; Cerutti, A [Mitwirkende:r]; Chalupa, B [Mitwirkende:r]; Conti, F [Mitwirkende:r]; Dmitrenko, I. M [Mitwirkende:r]; Dweydari, A. W [Mitwirkende:r]; Dörfler, M [Mitwirkende:r]; Farshtendiker, V. L [Mitwirkende:r]; Fotedar, H. L [Mitwirkende:r]; Gall, H. Le [Mitwirkende:r]; Gaprindoshvily, A. Y [Mitwirkende:r]; Gemünd, H. P [Mitwirkende:r]; Ghezzi, C [Mitwirkende:r]; Gjönnes, J [Mitwirkende:r]; Godenko, L. P [Mitwirkende:r]; Golder, J [Mitwirkende:r]; Grigoreva, V. S [Mitwirkende:r]; Heine, G [Mitwirkende:r]; Henisch, H. K [Mitwirkende:r]; Holt, D. B [Mitwirkende:r]; Hutchison, J. L [Mitwirkende:r]; Ibragimova, E. M [Mitwirkende:r]; Ilyashenko, E. I [Mitwirkende:r]; Isaakyan, V. A [Mitwirkende:r]; Jacobsen, G [Mitwirkende:r]; Jain, K [Mitwirkende:r]; Jain, V. K [Mitwirkende:r]; Jalochowski, M [Mitwirkende:r]; Joglekar, A. V [Mitwirkende:r]; Kaminskii, A. A [Mitwirkende:r]; Kanamori, A [Mitwirkende:r]; Karamushko, V. I [Mitwirkende:r]; Karekar, R. N [Mitwirkende:r]; Khanna, R. K [Mitwirkende:r]; Khatsernov, M. A [Mitwirkende:r]; Klevtsev, P. V [Mitwirkende:r]; Klose, H [Mitwirkende:r]; Kolomiets, B. T [Mitwirkende:r]; Konnov, V. M [Mitwirkende:r]; Korbutyak, D. V [Mitwirkende:r]; Kortov, V. S [Mitwirkende:r]; Kraan, A.M. Van Der [Mitwirkende:r]; Krishnan, R [Mitwirkende:r]; Krivorotov, E. A [Mitwirkende:r]; Krumme, J.-P [Mitwirkende:r]; Kuhlmann-Wilsdorf, D [Mitwirkende:r]; Lincoln, F. J [Mitwirkende:r]; Litovchenko, V. G [Mitwirkende:r]; Loef, J. J. Van [Mitwirkende:r]; Lovyagin, R. N [Mitwirkende:r]; Lyubin, V. M [Mitwirkende:r]; Maguire, H. G [Mitwirkende:r]; Maksimova, G. V [Mitwirkende:r]; Marcinkowski, M. J [Mitwirkende:r]; Martin, J. J [Mitwirkende:r]; Mashkevich, V. S [Mitwirkende:r]; Maslova, L. A [Mitwirkende:r]; Mayer, A. A [Mitwirkende:r]; Mazurkiewicz, A [Mitwirkende:r]; Mee, C. H. B. Mee [Mitwirkende:r]; Meingast, R [Mitwirkende:r]; Michalec, R [Mitwirkende:r]; Mika, J [Mitwirkende:r]; Mikolajczak, B [Mitwirkende:r]; Mikolajczak, P [Mitwirkende:r]; Mikula, P [Mitwirkende:r]; Morten, B [Mitwirkende:r]; Morton, J. W [Mitwirkende:r]; Morton, Jr [Mitwirkende:r]; Nicolet, M-A [Mitwirkende:r]; Nobili, C [Mitwirkende:r]; Ogden, R [Mitwirkende:r]; Olsen, A [Mitwirkende:r]; Olson, N. J [Mitwirkende:r]; Osiko, V. V [Mitwirkende:r]; Ota, T [Mitwirkende:r]; Pande, B. M [Mitwirkende:r]; Pavlyuk, A. A [Mitwirkende:r]; Pchelyakov, O. P [Mitwirkende:r]; Petrosyan, A. G [Mitwirkende:r]; Petrova, L. O [Mitwirkende:r]; Petrzilka, V [Mitwirkende:r]; Pihl, C. F [Mitwirkende:r]; Pillai, P. K. C [Mitwirkende:r]; Plotnikov, A. F [Mitwirkende:r]; Prochukhan, V. D [Mitwirkende:r]; Reut, E. G [Mitwirkende:r]; Roessler, B [Mitwirkende:r]; Rozenblat, M. A [Mitwirkende:r]; Rud, Yu. V [Mitwirkende:r]; Ryskin, A. I [Mitwirkende:r]; Sadananda, K [Mitwirkende:r]; Sarkisov, S. E [Mitwirkende:r]; Sathianandan, K [Mitwirkende:r]; Schairer, W [Mitwirkende:r]; Schlosser, W. F [Mitwirkende:r]; Schwuttke, G. H [Mitwirkende:r]; Sedlakova, L [Mitwirkende:r]; Shafer, M. W [Mitwirkende:r]; Shalyapin, A. L [Mitwirkende:r]; Shirokov, A. A [Mitwirkende:r]; Smith, W [Mitwirkende:r]; Sobhanadri, J [Mitwirkende:r]; Sobol, A. A [Mitwirkende:r]; Sokalski, K [Mitwirkende:r]; Sokolova, A. A [Mitwirkende:r]; Srinivasan, M [Mitwirkende:r]; Starikov, B. P [Mitwirkende:r]; Stenin, S. I [Mitwirkende:r]; Stoebe, T. G [Mitwirkende:r]; Sttrland, D. J [Mitwirkende:r]; Subotowicz, M [Mitwirkende:r]; Sukach, G. A [Mitwirkende:r]; Szytula, A [Mitwirkende:r]; Takahashi, K [Mitwirkende:r]; Taroni, A [Mitwirkende:r]; Thamm, E [Mitwirkende:r]; Timoshechkin, M. I [Mitwirkende:r]; Todorov, G [Mitwirkende:r]; Tolksdorf, W [Mitwirkende:r]; Toropov, A. I [Mitwirkende:r]; Tretyak, O. V [Mitwirkende:r]; Tsivinskii, S. V [Mitwirkende:r]; Tumolillo, T. A [Mitwirkende:r]; Vakhidov, Sh. A [Mitwirkende:r]; Vien, Tran Khanh [Mitwirkende:r]; Vorobev, Yu. V [Mitwirkende:r]; Vorobeva, N. V [Mitwirkende:r]; Voronko, Yu. K [Mitwirkende:r]; Vorst, W. Maenhout-Van Der [Mitwirkende:r]; Weiss, B [Mitwirkende:r]; Wielke, B [Mitwirkende:r]; Williams, G. P [Mitwirkende:r]; Wolf, M. W [Mitwirkende:r]; Yakovenko, A. A [Mitwirkende:r]; Zhelev, V [Mitwirkende:r]; Zurv, V. A [Mitwirkende:r]
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Erschienen:
Berlin; Boston: De Gruyter, [2021]
[Online-Ausgabe]
- Erschienen in: Physica status solidi ; Volume 17, Number 1 ; A
- Ausgabe: Reprint 2021
- Umfang: 1 Online-Ressource (484 p)
- Sprache: Englisch
- DOI: 10.1515/9783112499900
- ISBN: 9783112499900
- Identifikator:
- Schlagwörter: SCIENCE / General
- Art der Reproduktion: [Online-Ausgabe]
- Entstehung:
-
Anmerkungen:
In English
Mode of access: Internet via World Wide Web
- Beschreibung: Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- Photoelectric Phenomena in Amorphous Chalcogenide Semiconductors -- Original Papers -- Virtual Recharge: Mechanism of Radiationless Transition in Scheelite and Fergusonite Type Crystals Doped with Rare-Earth Ions -- Coupling Energy Dependence of Spectral Properties in Weak Superconducting Contacts -- Dielectric Properties of Ba(ClO3)2 • H2O Single Crystal -- Antiphase Domain Boundaries in Pd3Mn -- Measurements of the Physical Properties of Thin Bi Films from 180 to 40000 A -- Cross Slip of Superlattice Dislocations -- A Study of the Oxidation and Reduction by Water Vapour of Si (111) Surfaces Using Auger Electron Emission -- Thermochemical Calculations of the System AsH3-PH3-HCl-Ga-H2 for GaAsP Yapour Growth -- Possible Tunneling in Ferromagnetics with Extraordinary Viscosity -- Threshold Theory of Laser Generation in p-n Junctions with Exponential Band Tails -- The Elastic Constants of MnAs -- Dissipated Energy during Cyclic Deformation -- On the Influence of Donor-Acceptor Interaction upon Recombination and Electrical Instability in Semi-Insulating GaAs (Cr) -- Neutron Diffraction Effect on the Rocking Curve of a Vibrating Single Crystal -- Direct Observation of Extended Linear Defects in MgF2-Doped Niobium Oxides -- Magnetic Properties of Liquid-Phase Epitaxial Films of Y3-xCdxFe5-yGayO12 for Optical Memory Applications -- Growth and Optical Absorption Spectra of the Layer-Type Trichalcogenides ZrS3 and HfS3 -- Photoelectric Properties of Silver Bromide-Semiconductor Structures -- Structures magnétiques sinusoïdales et hélicoïdales de la terre rare dans TMn2O5 -- Calculation of the Atomic Volumes of Fe-Ni and Fe-Co Alloys -- Field Effect on the Germanium-Electrolyte Interface -- Low Temperature Thermal Conductivity of Zinc Oxide -- Thermally Stimulated Discharge Current Studies in Shellac Wax Electrets -- Dissociated Dislocations in Germanium -- X-Ray Observations of Induced Dislocations at Simple Planar Structures in Silicon -- Oxygen Adsorption on the (111) Face of Silver -- On the Determination of the Carrier Concentration of GaAs1-xPx -- Dislocation Dynamics in LiF and MgO Single Crystals -- The Epitaxial Growth and Structure of Films of CdTe Evaporated onto Ge -- Stresses of Hexagonal Screw Dislocation Arrays (III) -- Magnetic Relaxation in Neutron-Irradiated Iron -- Migration of Sr2+ Impurity-Vacancy Dipoles in RbCl -- Point Defects in Highly Deformed Yanadium -- A Mössbauer Study of the Hyperfine Interactions in Intermetallic, Ferromagnetic, and Ferroelectric Compounds of Antimony -- Size of Subgrains Arising in Single Crystals Grown from the Melt and Dimensions of Dislocation Cells in Deformed Crystalline Materials -- Silicon Homoepitaxy with Ion Sputtering (I) -- Surface Luminescence in GaAs at Laser Excitation -- Precision Lattice Parameter Studies of Ion-Implanted Silicon -- Short Notes -- A Dislocation "Etch-Memory" Effect in Gallium Arsenide -- Heterodiodes of ZnTe Thin Films on GaAs, InAs, and GaP Single Crystals Prepared by Vacuum-Deposition Epitaxy -- A Modified Method of Limited X-Ray Topographs -- Photovoltaic Properties of ZnS Crystals -- Analysis of Interaction between a Magnetic Saturated Overlay and a Magnetic Bubble -- Low Frequency Vibrations in Lepidocrocite (y-FeOOH) Studied by Infrared Absorption -- Piezoresistive Coefficients in Silicon Diffused Layers -- Uber die Rolle der F- und F'-Zentren in der Exoemission von BeO -- On the Threshold Law for the Photoemission from the Organic Solid -- Spectroscopic Properties of La2Be2O5:Nd3+ Single Crystals -- Colour Centres in YAlO3:Tr3+ Crystals -- Experimental Test of Sv = 4 kT(U/I) for Space-Charge-Limited Current of Holes in Silicon -- On the Calculation of the Limiting Thickness of a Stable Coherent Two-Dimensional Epitaxial Layer -- The Dependence of Raman Scattering Cross Section on Laser Intensity for Semiconducting NaxWO3 Crystals -- Study of Electrical Conduction Processes in Lithium Niobate Single Crystals -- Optical and Magnetooptical Properties of Epitaxial YIG Films -- Some Electrical Properties of the High-Resistance ZnGeP2 Single Crystals -- Investigation of Stimulated Emission in the 4F3/2-4I13/2 Transition of Nd3+ Ions in Crystals (V) -- Mossbauer Spectra of Gallium Substituted Yttrium-Iron Garnets of High Homogeneity -- Threshold Switching in the Presence of Photo-Excited Charge Carriers -- A Discussion of the Characterization of Dislocation Loops in Zinc by X-Ray Topography -- Stress in Thin Films Due to Volume Change on Solidification -- Pre-printed Titles -- Pre-printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification, Scheme — Continued -- Backmatter
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