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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie Beteiligte: Schneider, Tom [VerfasserIn]; Stelter, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Heitmann, Johannes [AkademischeR BetreuerIn] Körperschaft: Technische Universität Bergakademie Freiberg Erschienen: Freiberg, 2022 Umfang: 1 Online-Ressource (ii, 147 Seiten); Illustrationen, Diagramme Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Galliumnitrid > Gasphasenepitaxie > Verbindungshalbleiter > Defekt > Versetzung > Substrat Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2022 Anmerkungen: Volltext: PDF Literaturverzeichnis Seite 109-133 Tag der Verleihung: 08.04.2022 Zugangsstatus: Freier Zugang