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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Fabrication and characterization of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors for high power applications Beteiligte: Calzolaro, Anthony [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Dadgar, Armin [AkademischeR BetreuerIn] Körperschaft: Technische Universität Dresden Erschienen: Dresden, 3.02.2022 Umfang: XVI, 118 Seiten; Illustrationen, Diagramme Sprache: Englisch RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 4100 : Allgemeines Schlagwörter: Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Dresden, 2022 Anmerkungen: Das Erscheinungsdatum ist der Tag der Verteidigung
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2022 8 017216 Barcode: 34081856 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2022 8 017218 Barcode: 34081858 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden