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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Feldeffektgesteuerte Siliziumbauelemente in Nanometerdimensionen Beteiligte: Goßner, Harald [VerfasserIn] Erschienen: 1994 Umfang: III, 167 S; Ill., graph. Darst; 21 cm Sprache: Deutsch RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: CMOS > Siliciumbauelement > Nanometerbereich Entstehung: Hochschulschrift: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1994 Anmerkungen:
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 95 8 74013 001 Barcode: 10069875 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden