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Medientyp: Buch Titel: Plasma charging damage Beteiligte: Cheung, Kin P. [VerfasserIn] Erschienen: London; Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, c 2001 Umfang: XII, 346 S; graph. Darst; 24 cm Sprache: Englisch ISBN: 1852331445 RVK-Notation: UP 3250 : Dotierung, Strahleneinwirkung auf Halbleiter ZN 4150 : Dünnschichttechnologie Schlagwörter: VLSI > Plasmastrahlbearbeitung > Elektrische Ladung > Gate-Oxid > Werkstoffschädigung Entstehung: Anmerkungen:
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: R2019 8 1322 Barcode: 10088850 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden Bereitstellung voraussichtlich: 1 - 2 Tage nach Bestellung