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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC/SiO2 Beteiligte: Baßler, Michael [VerfasserIn] Erschienen: 2000 Umfang: IV, 170 S; graph. Darst; 21 cm Sprache: Deutsch RVK-Notation: ZN 4960 : MOS-, MIS-Schaltungen (hier auch CTD-Schaltungen; Eimerkettenschaltungen; CMOS-Schaltungen...) Schlagwörter: Siliciumcarbid > Siliciumdioxid > Kondensator > MOS > Elektronenzustand Entstehung: Hochschulschrift: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2000 Anmerkungen: