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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Untersuchung von pseudomorphen InGaAs/InAlAs/InP High Electron Mobility Transistoren im Hinblick auf kryogene Anwendungen Beteiligte: Tönnesmann, Andres [VerfasserIn] Erschienen: 2002 Umfang: Online-Ressource (PDF-Datei: 129 S., 11,0 MB) Sprache: Deutsch Schlagwörter: HEMT > Indiumarsenid > Aluminiumarsenid > Galliumarsenid > Elektrische Eigenschaft > Temperaturabhängigkeit Entstehung: Hochschulschrift: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2002 Anmerkungen: Auch gedr. vorh. als: Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 4043 Zsfassung in engl. und dt. Sprache Systemvoraussetzungen: Acrobat reader Zugangsstatus: Freier Zugang