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Medientyp: Buch Titel: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente : mit 29 Tabellen Enthält: Literaturverz. S. [409] - 428 Beteiligte: Schulze, Jörg [VerfasserIn] Erschienen: Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2005 Erschienen in: Halbleiter-Elektronik ; 2300 Umfang: XVIII, 428 S; zahlr. Ill. und graph. Darst Sprache: Deutsch ISBN: 3540234373; 9783540234371 Verlags-, Produktions- oder Bestellnummern: Sonstige Nummer: 11016144 RVK-Notation: ZN 4800 : Allgemeines ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 4960 : MOS-, MIS-Schaltungen (hier auch CTD-Schaltungen; Eimerkettenschaltungen; CMOS-Schaltungen...) Schlagwörter: Halbleiterbauelement > MOS MOS-FET > SOI-Technik Entstehung: Anmerkungen: Weitere Bestandsnachweise 0 : Halbleiter-Elektronik