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Medientyp: Buch Titel: Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties Beteiligte: Bentarzi, Hamid [VerfasserIn] Erschienen: Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2011 Erschienen in: Engineering materials Umfang: XIII, 104 S.; graph. Darst; 25 cm Sprache: Englisch ISBN: 9783642163036; 3642163033 Verlags-, Produktions- oder Bestellnummern: Sonstige Nummer: 80013359 RVK-Notation: ZN 3460 : Halbleiterwerkstoffe Schlagwörter: MOS > Siliciumdioxid > Ionenleitung MOS-FET Entstehung: Anmerkungen: Literaturangaben