• Medientyp: Buch
  • Titel: Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties
  • Beteiligte: Bentarzi, Hamid [VerfasserIn]
  • Erschienen: Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2011
  • Erschienen in: Engineering materials
  • Umfang: XIII, 104 S.; graph. Darst; 25 cm
  • Sprache: Englisch
  • ISBN: 9783642163036; 3642163033
  • Verlags-, Produktions- oder Bestellnummern: Sonstige Nummer: 80013359
  • RVK-Notation: ZN 3460 : Halbleiterwerkstoffe
  • Schlagwörter: MOS > Siliciumdioxid > Ionenleitung
    MOS-FET
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Literaturangaben

Exemplare

(0)
  • Status: Ausleihbar