Farrell, Patricio
[VerfasserIn];
Rotundo, Nella
[VerfasserIn];
Doan, Duy Hai
[VerfasserIn];
Kantner, Markus
[VerfasserIn];
Fuhrmann, Jürgen
[VerfasserIn];
Koprucki, Thomas
[VerfasserIn]
Numerical methods for drift-diffusion models
- [published Version]
Titel:
Numerical methods for drift-diffusion models
Beteiligte:
Farrell, Patricio
[VerfasserIn];
Rotundo, Nella
[VerfasserIn];
Doan, Duy Hai
[VerfasserIn];
Kantner, Markus
[VerfasserIn];
Fuhrmann, Jürgen
[VerfasserIn];
Koprucki, Thomas
[VerfasserIn]
Erschienen:
Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2016
Erschienen in:Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik , Volume 2263, ISSN 2198-5855
Anmerkungen:
Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
Beschreibung:
The van Roosbroeck system describes the semi-classical transport of free electrons and holes in a self-consistent electric field using a drift-diffusion approximation. It became the standard model to describe the current flow in semiconductor devices at macroscopic scale. Typical devices modeled by these equations range from diodes, transistors, LEDs, solar cells and lasers to quantum nanostructures and organic semiconductors. The report provides an introduction into numerical methods for the van Roosbroeck system. The main focus lies on the Scharfetter-Gummel finite volume disretization scheme and recent efforts to generalize this approach to general statistical distribution functions.