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Tetzlaff, Dominic [Verfasser:in]; Dzinnik, Marvin [Verfasser:in]; Krügener, Jan [Verfasser:in]; Larionova, Yevgeniya [Verfasser:in]; Reiter, Sina [Verfasser:in]; Turcu, Mircea [Verfasser:in]; Peibst, Robby [Verfasser:in]; Höhne, Uwe [Verfasser:in]; Kähler, Jan-Dirk [Verfasser:in]; Wietler, Tobias F. [Verfasser:in]

Introducing pinhole magnification by selective etching: Application to poly-Si on ultra-thin silicon oxide films - [published Version]

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  • Medientyp: Sonstige Veröffentlichung; E-Artikel
  • Titel: Introducing pinhole magnification by selective etching: Application to poly-Si on ultra-thin silicon oxide films
  • Beteiligte: Tetzlaff, Dominic [Verfasser:in]; Dzinnik, Marvin [Verfasser:in]; Krügener, Jan [Verfasser:in]; Larionova, Yevgeniya [Verfasser:in]; Reiter, Sina [Verfasser:in]; Turcu, Mircea [Verfasser:in]; Peibst, Robby [Verfasser:in]; Höhne, Uwe [Verfasser:in]; Kähler, Jan-Dirk [Verfasser:in]; Wietler, Tobias F. [Verfasser:in]
  • Erschienen: Amsterdam : Elsevier, 2017
  • Erschienen in: Energy Procedia 124 (2017)
  • Ausgabe: published Version
  • Sprache: Englisch
  • DOI: https://doi.org/10.15488/2638; https://doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.270
  • Schlagwörter: Konferenzschrift ; Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) ; Polycrystalline materials ; Silicon ; carrier selective contacts ; Silicon oxides ; pinholes ; Selective etching ; Oxide films ; Ultrathin silicon ; Passivation properties ; Polycrystalline silicon (poly-Si) ; Interfacial oxides ; polysilicon ; Etching ; Selective contacts ; Tetramethyl ammonium hydroxide
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
  • Beschreibung: Carrier selective junctions formed by polycrystalline silicon (poly-Si) on ultra-thin silicon oxide films are currently in the spotlight of silicon photovoltaics. We develop a simple method using selective etching and conventional optical microscopy to determine the pinhole density in interfacial oxide films of poly-Si on oxide (POLO)-junctions with excellent electrical properties. We characterize the selective etching of poly-Si versus ultra-thin silicon oxide. We use test structures with deliberately patterned openings and 3 nm thin oxide films to check the feasibility of magnification by undercutting the interfacial oxide. With the successful proof of our concept we introduce a new method to access the density of nanometer-size pinholes in POLO-junctions with excellent passivation properties.
  • Zugangsstatus: Freier Zugang
  • Rechte-/Nutzungshinweise: Namensnennung - Nicht-kommerziell - Keine Bearbeitung (CC BY-NC-ND)