> Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp: Sonstige Veröffentlichung; E-Artikel Titel: Quantum confinement effects in Si/Ge heterostructures with spatially ordered arrays of self-assembled quantum dots Beteiligte: Agafonov, Oleksiy B. [Verfasser:in]; Dais, Christian [Verfasser:in]; Grützmacher, Detlev [Verfasser:in]; Haug, Rolf J. [Verfasser:in] Erschienen: College Park, MD : American Institute of Physics, 2010 Erschienen in: Applied Physics Letters 96 (2010), Nr. 22 Ausgabe: published Version Sprache: Englisch DOI: https://doi.org/10.15488/2839; https://doi.org/10.1063/1.3442508 Schlagwörter: Magnetotunneling ; Si/Ge ; Confinement potential ; Zero bias ; Quantum Dot ; Ordered array ; Heterostructures ; Ge quantum dot ; Hole state ; Current voltage characteristics ; Resonant tunneling ; Parabolic confinements ; Quantum confinement effects ; Germanium ; Double barriers ; Self assembled quantum dots ; Resonant tunneling diodes ; Semiconductor diodes ; Semiconductor quantum dots Entstehung: Hochschulschrift: Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen. Beschreibung: Magnetotunneling spectroscopy was employed to probe the confinement in vertical Si/Ge double-barrier resonant tunneling diodes with regularly distributed Ge quantum dots. Their current-voltage characteristics reveal a steplike behavior in the vicinity of zero bias, indicating resonant tunneling of heavy-holes via three-dimensionally confined unoccupied hole states in Ge quantum dots. Assuming parabolic confinement, we extract the strength of the confinement potential of quantum dots. © 2010 American Institute of Physics. Zugangsstatus: Freier Zugang