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Di Gaspare, L. [Verfasser:in]; Sabbagh, D. [Verfasser:in]; De Seta, M. [Verfasser:in]; Sodo, A. [Verfasser:in]; Wirths, S. [Verfasser:in]; Buca, D. [Verfasser:in]; Zaumseil, P. [Verfasser:in]; Schroeder, T. [Verfasser:in]; Capellini, G. [Verfasser:in]

Epi-cleaning of Ge/GeSn heterostructures1

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  • Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Epi-cleaning of Ge/GeSn heterostructures1
  • Beteiligte: Di Gaspare, L. [Verfasser:in]; Sabbagh, D. [Verfasser:in]; De Seta, M. [Verfasser:in]; Sodo, A. [Verfasser:in]; Wirths, S. [Verfasser:in]; Buca, D. [Verfasser:in]; Zaumseil, P. [Verfasser:in]; Schroeder, T. [Verfasser:in]; Capellini, G. [Verfasser:in]
  • Erschienen: American Inst. of Physics, 2015
  • Erschienen in: Journal of applied physics 117(4), 045306 - (2015). doi:10.1063/1.4906616
  • Sprache: Englisch
  • DOI: https://doi.org/10.1063/1.4906616
  • ISSN: 1089-7550; 0021-8979; 0148-6349
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
  • Beschreibung: We demonstrate a very-low temperature cleaning technique based on atomic hydrogen irradiation for highly (1%) tensile strained Ge epilayers grown on metastable, partially strain relaxed GeSn buffer layers. Atomic hydrogen is obtained by catalytic cracking of hydrogen gas on a hot tungsten filament in an ultra-high vacuum chamber. X-ray photoemission spectroscopy, reflection high energy electron spectroscopy, atomic force microscopy, secondary ion mass spectroscopy, and micro-Raman showed that an O- and C-free Ge surface was achieved, while maintaining the same roughness and strain condition of the as-deposited sample and without any Sn segregation, at a process temperature in the 100–300 °C range.
  • Zugangsstatus: Freier Zugang