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Aussen, Stephan [VerfasserIn]; Cüppers, Felix [VerfasserIn]; Hoffmann-Eifert, Susanne [VerfasserIn]; Funck, Carsten [VerfasserIn]; Jo, Janghyun [VerfasserIn]; Werner, Stephan [VerfasserIn]; Pratsch, Christoph [VerfasserIn]; Menzel, Stephan [VerfasserIn]; Dittmann, Regina [VerfasserIn]; Dunin-Borkowski, Rafal [VerfasserIn]; Waser, Rainer [VerfasserIn]

Correlation between Electronic Structure, Microstructure, and Switching Mode in Valence Change Mechanism Al 2 O 3 /TiO x ‐Based Memristive Devices

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  • Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Correlation between Electronic Structure, Microstructure, and Switching Mode in Valence Change Mechanism Al 2 O 3 /TiO x ‐Based Memristive Devices
  • Beteiligte: Aussen, Stephan [VerfasserIn]; Cüppers, Felix [VerfasserIn]; Hoffmann-Eifert, Susanne [VerfasserIn]; Funck, Carsten [VerfasserIn]; Jo, Janghyun [VerfasserIn]; Werner, Stephan [VerfasserIn]; Pratsch, Christoph [VerfasserIn]; Menzel, Stephan [VerfasserIn]; Dittmann, Regina [VerfasserIn]; Dunin-Borkowski, Rafal [VerfasserIn]; Waser, Rainer [VerfasserIn]
  • Erschienen: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KG, 2023
  • Erschienen in: Advanced electronic materials 9(12), 2300520 (2023). doi:10.1002/aelm.202300520
  • Sprache: Englisch
  • DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202300520; https://doi.org/10.34734/FZJ-2023-03757
  • ISSN: 2199-160X
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
  • Zugangsstatus: Freier Zugang