Ivanova, L.
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Borisova, S.
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Eisele, H.
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Dähne, M.
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Laubsch, A.
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Ebert, Ph.
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Surface states and origin of the Fermi level pinning on nonpolar GaN(1100) surfaces
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Medientyp:
E-Artikel
Titel:
Surface states and origin of the Fermi level pinning on nonpolar GaN(1100) surfaces
Beteiligte:
Ivanova, L.
[Verfasser:in];
Borisova, S.
[Verfasser:in];
Eisele, H.
[Verfasser:in];
Dähne, M.
[Verfasser:in];
Laubsch, A.
[Verfasser:in];
Ebert, Ph.
[Verfasser:in]
Anmerkungen:
Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
Beschreibung:
GaN1000 cleavage surfaces were investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy and spectroscopy. It is found that both the N and Ga derived intrinsic dangling bond surface states are outside of the fundamental band gap. Their band edges are both located at the Gamma point of the surface Brillouin zone. The observed Fermi level pinning at 1.0 eV below the conduction band edge is attributed to the high step and defect density at the surface but not to intrinsic surface states.