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Afanas'ev, V. V. [VerfasserIn]; Stesmans, A. [VerfasserIn]; Zhao, C. [VerfasserIn]; Caymax, M. [VerfasserIn]; Heeg, T. [VerfasserIn]; Schubert, J. [VerfasserIn]; Jia, Y. [VerfasserIn]; Schlom, D. G. [VerfasserIn]; Lucovsky, G. [VerfasserIn]

Band alignment between (100)Si and complex rare earth/transition metal oxides

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  • Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Band alignment between (100)Si and complex rare earth/transition metal oxides
  • Beteiligte: Afanas'ev, V. V. [VerfasserIn]; Stesmans, A. [VerfasserIn]; Zhao, C. [VerfasserIn]; Caymax, M. [VerfasserIn]; Heeg, T. [VerfasserIn]; Schubert, J. [VerfasserIn]; Jia, Y. [VerfasserIn]; Schlom, D. G. [VerfasserIn]; Lucovsky, G. [VerfasserIn]
  • Erschienen: American Institute of Physics, 2004
  • Erschienen in: Applied physics letters 85, 5917 - 5919 (2004). doi:10.1063/1.1829781
  • Sprache: Englisch
  • DOI: https://doi.org/10.1063/1.1829781
  • ISSN: 0003-6951
  • Schlagwörter:
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen.
  • Beschreibung: The electron energy band alignment between (100)Si and several complex transition/rare earth (RE) metal oxides (LaScO3, GdScO3, DyScO3, and LaAlO3, all in amorphous form) is determined using a combination of internal photoemission and photoconductivity measurements. The band gap width is nearly the same in all the oxides (5.6-5.7 eV) yielding the conduction and valence band offsets at the Si/oxide interface of 2.0+/-0.1 and 2.5+/-0.1 eV, respectively. However, band-tail states are observed and these are associated with Jahn-Teller relaxation of transition metal and RE cations which splits their d* states. (C) 2004 American Institute of Physics.
  • Zugangsstatus: Freier Zugang