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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Untersuchung von yttriumstabilisiertem Hafniumoxid als Isolatorschicht für DRAM-Kondensatoren Weitere Titel: Investigation of yttrium oxide stabilized hafnium oxide as dielectric film for DRAM capacitors Beteiligte: Gluch, Jürgen [Verfasser]; Eckert, Jürgen [Akademischer Betreuer]; Bartha, Johann W. [Akademischer Betreuer] Erschienen: Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2011 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: RVK-Notation: ZN 3460 : Halbleiterwerkstoffe Schlagwörter: Dynamisches RAM ; Kondensator ; Isolierstoff ; Atomlagenabscheidung ; Speicher ; Krümmungsmessung ; Mikrostruktur ; RAM ; Bauelement ; Transistor ; Chip ; Substrat ; Werkstoffkunde ; Atolagenabscheidung ; Hafniumoxid ; Yttriumoxid ; Strukturuntersuchung ; Atomic layer deposition ; high-k ; phase stabilisation ; Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2011 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang