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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Integration von Multi-Gate-Transistoren auf Basis einer 22 nm-Technologie Beteiligte: Baldauf, Tim [Verfasser]; Gerlach, Gerald [Akademischer Betreuer]; Stenzel, Roland [Akademischer Betreuer] Erschienen: Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2014 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: RVK-Notation: ZN 4850 : Transistoren allgemein; Bipolartransistoren ZN 4900 : Allgemeines Schlagwörter: Transistor ; Integration ; Drain ; Ringoszillator ; Planartransistor ; Kapazität ; Elektrische Feldstärke ; Dotierungsprofil ; Multi-Gate ; Transistoren ; Tri-Gate ; FinFET ; Nanowire ; Stress ; Skalierung ; Skaling ; Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2014 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang