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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Modellierung der Band-Diskontinuitäten von Halbleiterheterostrukturen basierend auf Aluminium-Galliumnitrid und Kupferoxid Weitere Titel: Modelling of the band alignment of semiconductor heterostructures based on aluminum gallium nitride and copper oxide Beteiligte: Kramm, Benedikt Georg [Verfasser] Erschienen: Gießen: Universitätsbibliothek, 2016 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Halbleiter ; Heterostruktur ; Galliumnitrid ; Aluminium ; Leitungsband ; Energielücke ; Valenzband ; Fermi-Energie ; Heteroübergang ; Zustandsdichte ; Cu2O ; AlGaN ; Band-Diskontinuität ; Halbleiter-Heterostrukturen ; Photovoltaik ; band offset ; semiconsuctor heterostructures ; photovoltaics ; Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Gießen, Justus-Liebig-Universität, Diss., 2016 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang