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Medientyp: E-Book Titel: Effekt der von Bor und Stickstoff induzierten isovalenten Störstellen auf den Leitungsbandtransport in III-V-Halbleitern Weitere Titel: Effect of boron and nitrogen isovalent impurities on the electronic conduction band transport in III-V-semiconductors Beteiligte: Ostheim, Lars [Verfasser:in] Erschienen: Gießen: Universitätsbibliothek, 2018 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Störstelle ; Halbleiter ; Transport ; Leitungsband ; Kristall ; Silicium Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Gießen, Justus-Liebig-Universität, 2018 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang