Investigation of device related material properties of β-Ga2O3 bulk crystals and homoepitaxial layers

Medientyp: E-Book

Titel: Investigation of device related material properties of β-Ga2O3 bulk crystals and homoepitaxial layers

Beteiligte: Seyidov, Palvan [Verfasser:in]; Schröder, Thomas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Engel-Herbert, Roman [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Krishnamoorthy, Sriram [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Erschienen: Berlin: Humboldt-Universität zu Berlin, 2024

Umfang: Online-Ressource

Sprache: Englisch

DOI: 10.18452/28220

Identifikator:

Schlagwörter: Halbleiter ; Silicium ; Gitterbaufehler ; Elektronischer Transport ; Organischer Halbleiter ; Übergangsmetalle in und auf β-Ga2O3 ; Volumenkristall ; Cz-Methode ; Raman-Streuung ; Transition metals in and on β-Ga2O3 ; bulk crystals ; Cz method ; electronic Raman scattering

Entstehung:

Hochschulschrift: Dissertation, Berlin, Humboldt-Universität zu Berlin, 2023

Anmerkungen:

Zugangsstatus: Freier Zugang

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