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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Modellierung eines Plasmaätzverfahrens am Beispiel der Ätzung einer Siliziumoberfläche durch ein Chlor-Argon-Plasma Beteiligte: Nold, Michael [Verfasser:in] Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Silicium > Halbleiteroberfläche > Plasmaätzen > Chlor > Argon > Prozesssimulation Silicium > Plasmaätzen > Elektron-Molekül-Stoß > Inelastischer Stoß > Energiespektrum > Online-Publikation Entstehung: Hochschulschrift: Stuttgart, Univ., Diss., 2003 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang