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Mittmann, Terence [VerfasserIn]; Materano, Monica [VerfasserIn]; Lomenzo, Patrick D. [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Stolichnov, Igor [VerfasserIn]; Cavalieri, Matteo [VerfasserIn]; Zhou, Chuanzhen [VerfasserIn]; Chung, Ching-Chang [VerfasserIn]; Jones, Jacob L. [VerfasserIn]; Szyjka, Thomas [VerfasserIn]; Müller, Martina [VerfasserIn]; Kersch, Alfred [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]

Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO₂ Films Deposited by Sputtering : Correction

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  • Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO₂ Films Deposited by Sputtering : Correction
  • Beteiligte: Mittmann, Terence [VerfasserIn]; Materano, Monica [VerfasserIn]; Lomenzo, Patrick D. [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Stolichnov, Igor [VerfasserIn]; Cavalieri, Matteo [VerfasserIn]; Zhou, Chuanzhen [VerfasserIn]; Chung, Ching-Chang [VerfasserIn]; Jones, Jacob L. [VerfasserIn]; Szyjka, Thomas [VerfasserIn]; Müller, Martina [VerfasserIn]; Kersch, Alfred [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]
  • Erschienen: Weinheim : Wiley-VCH, [2022]
  • Sprache: Englisch
  • DOI: 10.1002/admi.201900042
  • Schlagwörter: orthorhombic phase ; Sputtern ; Ferroelektrizität ; Hafnium ; Sauerstoff-Leerstellen ; hafnia ; sputtering ; orthorhombische Phase ; ferroelectricity ; oxygen vacancies
  • Entstehung:
  • Anmerkungen: Hinweis: Link zum Artikel, der zuerst in der Zeitschrift 'Advanced Electronic Materials' bei Wiley erschienen ist: DOI: https://doi.org/10.1002/admi.201900042
  • Beschreibung: This article corrects the following: 'Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO2 Films Deposited by Sputtering' Advanced Materials Interfaces 6(11) 2019, first Published online: April 29, 2019
  • Zugangsstatus: Freier Zugang
  • Rechte-/Nutzungshinweise: Urheberrechtsschutz