• Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate
  • Beteiligte: Wehrfritz, Peter; Fromm, Felix; Malzer, Stefan; Seyller, Thomas
  • Erschienen: IOP Publishing, 2014
  • Erschienen in: Journal of Physics D: Applied Physics, 47 (2014) 30, Seite 305103
  • Sprache: Nicht zu entscheiden
  • DOI: 10.1088/0022-3727/47/30/305103
  • ISSN: 0022-3727; 1361-6463
  • Entstehung:
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