> Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp: E-Artikel Titel: Thermal characterization of DC and small-signal parameters of 150 nm and 250 nm gate-length AlGaN/GaN HEMTs grown on a SiC substrate Beteiligte: Alim, Mohammad A; Rezazadeh, Ali A; Gaquiere, Christophe Erschienen: IOP Publishing, 2015 Erschienen in: Semiconductor Science and Technology, 30 (2015) 12, Seite 125005 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1088/0268-1242/30/12/125005 ISSN: 0268-1242; 1361-6641 Schlagwörter: Materials Chemistry ; Electrical and Electronic Engineering ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: