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Medientyp: E-Artikel Titel: Enhancement of drift-velocity overshoot in silicon due to the intracollisional field effect Beteiligte: Rossi, F; Jacoboni, C Erschienen: IOP Publishing, 1992 Erschienen in: Semiconductor Science and Technology, 7 (1992) 3B, Seite B383-B385 Sprache: Ohne Angabe DOI: 10.1088/0268-1242/7/3b/100 ISSN: 0268-1242; 1361-6641 Schlagwörter: Materials Chemistry ; Electrical and Electronic Engineering ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: