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Medientyp:
E-Artikel
Titel:
The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN
Beteiligte:
Kluth, Elias;
Wieneke, Matthias;
Bläsing, Jürgen;
Witte, Hartmut;
Lange, Karsten;
Dadgar, Armin;
Goldhahn, Rüdiger;
Feneberg, Martin
Erschienen:
IOP Publishing, 2020
Erschienen in:
Semiconductor Science and Technology, 35 (2020) 9, Seite 095033
Sprache:
Nicht zu entscheiden
DOI:
10.1088/1361-6641/ab9fab
ISSN:
0268-1242;
1361-6641
Entstehung:
Anmerkungen:
Beschreibung:
Abstract Doping induced changes in lattice parameters are investigated experimentally for the shallow donors silicon and germanium in thin-film wurtzite a-plane GaN. Silicon doping results in a lattice contraction while germanium doping results in a small but measurable lattice expansion. By high-resolution x-ray diffraction, we are able to determine the isotropically averaged size-effect with high accuracy. The analysis procedure yields en passant results for the phonon deformation potentials c E 1 ( T O ) and c E 2 h .