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Medientyp: E-Artikel Titel: Thermally Robust Nickel Silicide Process for Nano-Scale CMOS Technology Beteiligte: OH, S.-Y. Erschienen: Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE), 2005 Erschienen in: IEICE Transactions on Electronics Sprache: Englisch DOI: 10.1093/ietele/e88-c.4.651 ISSN: 0916-8524; 1745-1353 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: