• Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Beeinflussung des spezifischen Widerstandes von sauerstoffreichen Silizium‐Einkristallen durch Temperprozesse
  • Beteiligte: Gaworzewski, P.; Riemann, H.
  • Erschienen: Wiley, 1977
  • Erschienen in: Kristall und Technik
  • Sprache: Englisch
  • DOI: 10.1002/crat.19770120215
  • ISSN: 0023-4753
  • Schlagwörter: General Medicine
  • Entstehung:
  • Anmerkungen:
  • Beschreibung: <jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Veränderungen des Absolutwertes und der Verteilung des spezifischen Widerstandes von sauerstoffreichen Silizium‐Einkristallen durch Wärmebehandlung bei Temperaturen um 450 °C sind auf die Bildung donatorwirksamer Silizium‐Sauerstoff—Komplexe zurückzuführen. Die Maximalkonzentration der Thermodonatoren, die nach mehr als 100 Stunden Temperzeit vorliegt, ist der 3. Potenz der Konzentration des auf Zwischengitterplatz befindlichen, quasifreien Sauerstoffs proportional. Die experimentellen Ergebnisse werden anhand bestehender Modellvorstellungen diskutiert. Beispiele für die Kinetik der Thermodonatorbildung in Mikrobereichen werden an Proben mit stark inhomogenen Sauerstoffverteilungen angegeben. Ein Verfahren zur Ermittlung des Sauerstoffgehaltes in Mikrobereichen von radialen und axialen Schnitten von Silizium‐Einkristallen wird abgeleitet und die Nachweisgrenzen werden abgeschätzt.</jats:p>