> Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp: E-Artikel Titel: Effect of lattice defects in the collector region of npn Si transistors on the degradation ofhFE Beteiligte: Ohyama, H.; Nemoto, K. Erschienen: Wiley, 1988 Erschienen in: Physica Status Solidi (a) Sprache: Deutsch DOI: 10.1002/pssa.2211070146 ISSN: 0031-8965; 1521-396X Schlagwörter: Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: