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Medientyp: E-Artikel Titel: Recovery mechanism of lattice defects formed in the collector region for electron-irradiated npn Si transistors Beteiligte: Ohyama, H.; Nemoto, K. Erschienen: Wiley, 1988 Erschienen in: Physica Status Solidi (a) Sprache: Deutsch DOI: 10.1002/pssa.2211100241 ISSN: 0031-8965; 1521-396X Schlagwörter: Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: