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Medientyp: E-Artikel Titel: Effect of MOVPE growth parameters on the photoluminescence linewidth of ZnSxSe1−x (0⩽x⩽1) epilayers on GaAs Beteiligte: Heuken, M.; Geyzers, K.P.; Söllner, J.; Schneider, A.; Guimarães, F.E.G.; Heime, K. Erschienen: Elsevier BV, 1992 Erschienen in: Journal of Crystal Growth, 124 (1992) 1-4, Seite 633-638 Sprache: Englisch DOI: 10.1016/0022-0248(92)90529-r ISSN: 0022-0248 Schlagwörter: Materials Chemistry ; Inorganic Chemistry ; Condensed Matter Physics Entstehung: Anmerkungen: