> Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp: E-Artikel Titel: He implant-damage isolation of MOVPE grown GaAs/InGaP/InGaAsP layers Beteiligte: Strusny, H.; Ressel, P.; Vogel, K.; Würfl, J. Erschienen: Elsevier BV, 1996 Erschienen in: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Sprache: Englisch DOI: 10.1016/0168-583x(95)01005-x ISSN: 0168-583X Schlagwörter: Instrumentation ; Nuclear and High Energy Physics Entstehung: Anmerkungen: